晶振片活動(dòng)指數(shù) (Activity)

我們通過(guò)給晶片發(fā)送一個(gè)RF(RadioFrequency)信號(hào)來(lái)使晶片振動(dòng)(ModeLock技術(shù)).
RF信號(hào)的振幅根據(jù)RF阻抗來(lái)調(diào)整(不是線路阻抗).阻抗越大,振幅越小.在XIU(震蕩包)中,振幅轉(zhuǎn)化為一個(gè)電流信號(hào)發(fā)送到IC6/Cygnus2中.電流小代表阻抗越小.當(dāng)電流到達(dá)膜厚儀時(shí)會(huì)通過(guò)一個(gè)電阻.通過(guò)計(jì)算電阻上的電壓降來(lái)計(jì)算出當(dāng)前的Activity值(0-800).
一般來(lái)說(shuō),當(dāng)材料蒸鍍到晶片上后, RF阻抗會(huì)增大,此時(shí)Activity會(huì)降低.不同材料蒸鍍后,Activity的降低率會(huì)有所不同.
A圖:低應(yīng)力材料/硬質(zhì)膜鍍膜.Activity會(huì)降低的很平滑
B 圖:高應(yīng)力材料鍍膜.這些材料在蒸鍍時(shí),Actively會(huì)有下陷現(xiàn)象.這些下陷是由于材料蒸鍍后在晶片產(chǎn)生應(yīng)力,并釋放應(yīng)力所造成.所以在蒸鍍此類材料時(shí),Activity的下陷/突變是無(wú)規(guī)律且不可預(yù)測(cè)的.
C圖:其它一些材料可被認(rèn)為比較”失真”,意思是這些材料在鍍膜中會(huì)阻礙/消耗能量.這類材料在蒸鍍時(shí)隨著膜厚的增加,會(huì)加速能量消耗(RF阻抗變大).所以Activity曲線在開始鍍膜時(shí)變化很小,在到達(dá)某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然快速下降.

1. 什么影響數(shù)據(jù)？

線路的阻抗晶片是否干凈晶片有沒(méi)有劃痕晶片工作溫度是否穩(wěn)定等等都會(huì)影響

2.數(shù)據(jù)影響什么？Activity低,則震蕩回路的阻抗高,材料粘附晶片不牢固,會(huì)造成速率不穩(wěn),晶片提前失效等

3.如何影響的？

見(jiàn)問(wèn)題2的回答

4、晶控探頭觸角分析？

INFICON探頭的壓簧需要3片都調(diào)整為45度，陶瓷邊緣變黑后要更換

5.活動(dòng)指數(shù)線性變化與跳動(dòng)關(guān)聯(lián)？

見(jiàn)問(wèn)題回答

6.高應(yīng)力材料晶片選型

石英晶片工作介質(zhì)材料對(duì)晶片的活力有一定影響

常用的材料有：金銀及鋁合金

金是常用的電極材料. 它有較低的接觸阻力, 高的靈敏度且容易沉積.通常用于低應(yīng)力金屬膜料的蒸鍍. 如金、銀、銅等. 金可在晶片1MHz 頻率范圍內(nèi)無(wú)粘附效應(yīng). 但金電極膜層相對(duì)不是很牢固, 容易造成晶片跳頻或晶片不穩(wěn)定.

鋁合金是用于高應(yīng)力材料蒸鍍的好電極材料. 包括一氧化物、二氧化物、氧化鎂、二氧化鈦等.  蒸鍍高應(yīng)力材料對(duì)晶體會(huì)產(chǎn)生很大的壓力和拉力, 使晶片產(chǎn)生形變. 合金介質(zhì)使形變分散, 并使之逐漸減小. 這樣, 晶體趨于更加穩(wěn)定. 試驗(yàn)證明, 蒸鍍而二氧化硅時(shí)使用合金電極, 晶體使用壽命提高(可達(dá)400％).

銀是出色而全面的電極材料. 銀有很低的接觸阻力和一定程度的形變能力,但銀在空氣中容易氧化. 氧化會(huì)增加阻抗并降低晶片使用壽命.

低應(yīng)力金屬材料推薦金電極常用的蒸鍍的材料有鋁、金、銅、銀等這些材料容易壓縮和拉長(zhǎng)柔軟并易被蒸鍍不易剝離且不會(huì)損傷基片

銀或合金推薦用于高應(yīng)力金屬材料當(dāng)蒸鍍鎳、鉻、鉬、鋯、鎳鋯合金或鈦時(shí)會(huì)對(duì)晶體產(chǎn)生很大的壓力在膜層超過(guò)后膜層會(huì)產(chǎn)生剝落和裂縫有時(shí)晶片介質(zhì)層也會(huì)產(chǎn)裂縫這種壓力會(huì)迅速傳給晶體使晶體產(chǎn)生跳頻

合金推薦用于絕緣材料難鍍的膜是一些絕緣材料包括氧化鋁、氧化鎂、氟化釷、二氧化鈦、一氧化硅、二氧化硅等除非基板加熱到200℃或200℃以上否則達(dá)到良好的光學(xué)透過(guò)和反射率的薄膜層很難有好的粘附在開始的內(nèi)膜層會(huì)產(chǎn)生很大的壓力通過(guò)提高冷卻水的溫度到50℃（一般為20℃）晶體的壽命可發(fā)提高可達(dá)50%此類材料益選用鋁合金介質(zhì)試驗(yàn)表明在蒸鍍氧化鎂和二氧化硅時(shí)晶體的使用壽命高可達(dá)到200%大減少了虛假頻率